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CVD原理介紹

作者: 來源: 日期:2016-01-27 14:29:33 人氣:6844

化學(xué)氣相沉積是一種制備材料的氣相生長方法,它是把一種或幾種含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應(yīng)室,借助空間氣相化學(xué)反應(yīng)在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術(shù)?;瘜W(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面,進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過程。與之相對的是物理氣相沉積(PVD)。

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