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真空蒸鍍之工藝對比

作者: 來源: 日期:2020-09-02 11:14:18 人氣:153014
1. 電阻蒸發(fā)源蒸鍍發(fā)  


A. 加熱:高熔點(diǎn)金屬做成適當(dāng)形狀蒸發(fā)源,電流通過直接加熱。 


B. 優(yōu)點(diǎn):結(jié)構(gòu)簡單、造價(jià)便宜、使用可靠


C. 缺點(diǎn):所能到到的最高溫度有限,加熱器壽命較短


D. 適合:熔點(diǎn)不太高,尤其對膜層質(zhì)量要求不大高的大批量生產(chǎn)。 


 2. 電子束蒸發(fā)源蒸鍍發(fā) 


A. 蒸發(fā)材料放入冷水鉗鍋中,利用電子束加熱


B. 優(yōu)點(diǎn):獲得更大能量密度,使高熔點(diǎn)材料蒸發(fā)且速度快,膜的純度較高,熱效率高。


C. 分類:環(huán)形槍,直槍,e型槍和空心陰極槍等幾種。


D. 適合:高熔點(diǎn),純度要求高的材料。
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