磁控濺射技術(shù)自誕生以來，得到了較快的發(fā)展和較廣的應(yīng)用，對其他鍍膜方法的發(fā)展產(chǎn)生了很大的影響。通過大量的實(shí)踐，浦元真空總結(jié)出這種技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)，如下文所示。

　　優(yōu)點(diǎn)：
　　1.沉積速率高，襯底溫升低，對薄膜損傷?。?br />　　2.對于大多數(shù)材料，只要能制造出靶材，就可以實(shí)現(xiàn)濺射；
　　3.濺射得到的薄膜與基底結(jié)合良好；
　　4.濺射得到的薄膜純度較高，密度好，均勻性好；
　　5.結(jié)果表明，濺射工藝具有良好的重復(fù)性，在大面積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜；
　　6.可以準(zhǔn)確控制涂層厚度，通過改變參數(shù)來控制薄膜的粒徑；
　　7.不同的金屬、合金和氧化物可以混合，同時(shí)濺射在基體上；
　　8.易于工業(yè)化。


　　但是磁控濺射也存在一些問題
　　1.該技術(shù)所使用的環(huán)形磁場迫使次級電子圍繞環(huán)形磁場跳躍。因此，由環(huán)形磁場控制的區(qū)域是等離子體密度較高的區(qū)域。在該技術(shù)中，我們可以看到濺射氣體氬在這一區(qū)域發(fā)出強(qiáng)烈的淡藍(lán)色光芒，形成光暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴(yán)重的部分，它會濺出一個(gè)圓形的溝槽。環(huán)形磁場是電子運(yùn)動(dòng)的軌道，環(huán)形輝光和溝槽生動(dòng)地表現(xiàn)了這一點(diǎn)。靶材的濺射槽一旦穿透靶材，整個(gè)靶材就會報(bào)廢，靶材利用率不高，一般低于40%；
　　2.等離子體不穩(wěn)定；
　　3.由于基本的磁通量均不能通過磁性靶，所以在靶面附近不可能產(chǎn)生外加磁場。