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磁控濺射具有以下兩大優(yōu)點(diǎn):提高等離子密度,從而提高濺射速度;減少轟擊零件的電子數(shù)目,因而降低了基材因電子轟擊的升溫。
因此,該技術(shù)在薄膜技術(shù)中占有主導(dǎo)地位。磁控濺射陰極的最大缺點(diǎn):使用平面靶材,靶材在跑道區(qū)形成濺射溝道,這溝道一旦貫穿靶材,則整塊靶材即報(bào)廢,因而靶材的利用率只有20-30%。
不過(guò),目前為了避免這個(gè)缺點(diǎn),很多靶材采用圓柱靶材形式,靶材利用率得以大幅度提高。