直流磁控濺射: 直流磁控濺射是在直流二級濺射的基礎(chǔ)上,在靶材后面安防磁鋼。可以用來濺射沉積導(dǎo)電膜,而且沉積速度快;
但靶材若為絕緣體的話,將會迅速造成靶材表面電荷積累,從而導(dǎo)致濺射無法進(jìn)行。所以對于純金屬靶材的濺射,均采用直流磁控濺射,如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。
中頻磁控濺射, 常用來進(jìn)行反應(yīng)濺射,如金屬氧化物、碳化物等,將少許反應(yīng)性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一起輸入到真空腔中,使反應(yīng)氣體與靶材原子一起于基材上沉積。
對于一些不易找到的塊材料制成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍后,薄膜成分易偏離原靶材成分,也可通過反應(yīng)沉積來獲得改善。